تبلیغات
نانوتکنولوژی - ساخت نوع جدید و نویدبخشی از حافظه رایانه‌ای
پنجشنبه 24 آذر 1390  03:18 ب.ظ    ویرایش: - -
نوع مطلب: نانو تکنولوژی ،

محققان نوع جدیدی از حافظه رایانه‌ای ساخته‌اند كه می‌تواند از حافظه‌های تجاری موجود سریع‌تر باشد و از افزاره‌های حافظه فلش توان كمتری مصرف كند. در این فناوری نانوسیم‌های سیلیكونی با یك پلیمر فروالكتریك تركیب شده و ماده‌ای ساخته می‌شود كه در نتیجه اعمال یك میدان الكتریكی به آن قطبیتش تغییر می‌كند و این ویژگی ساخت نوع جدیدی از ترانزیستور فروالكتریك را ممكن می‌سازد.

قطبش قابل تغییر این ترانزیستور فروالكتریك بعنوان صفر یا یك خوانده می‌شود. این فناوری حافظه با دسترسی تصادفی ترانزیستور فروالكتریك یا به اختصار FeTRAM نامیده می‌شود.

 
دیاگرامی كه پیكربندی این نوع حافظه رایانه‌ای را نشان می‌دهد.

در حافظه FeTRAM‌ ذخیره اطلاعات بصورت غیرفرار است؛ بدین معنی كه بعد از خاموش كردن كامپیوتر نیز اطلاعات در این حافظه باقی می‌مانند. این افزاره بطور بالقوه 99 درصد كمتر از حافظه فلش انرژی مصرف می‌كند. حافظه فلش یك تراشه ذخیره رایانه‌ای غیرفرار و عمده‌ترین نوع حافظه موجود در بازار است. ساپتارشی داس، در دانشگاه پردو و یكی از این محققان، گفت: "در حال حاضر این افزاره توان بیشتری مصرف می‌كند، زیرا هنوز بطور مناسب افزایش مقیاس داده نشده است."

حافظه FeTRAM سه تابع اساسی از حافظه رایانه‌ای را انجام می‌دهد: خواندن و نوشتن اطلاعات و نگه‌داری آنها برای مدت زمان طولانی.

داس گفت: "شما نیاز به نگه‌داری حافظه برای طولانی‌ترین زمان ممكن، 10 تا 20 سال، دارید و باید قادر به خواندن و نوشتن اطلاعات برای بیشترین دفعات ممكن باشید. همچنین لپ‌تاپ شما برای اینكه زیاد گرم نشود، باید توان كمی مصرف كند."

این فناوری جدید همچنین با فرآیندهای ساخت صنعتی برای نیمه‌رساناهای اكسید فلزی تكمیلی (CMOS)، استفاده شده برای تولید تراشه‌های رایانه‌ای، سازگار است. این حافظه برای اینكه جایگزین سیستم‌های حافظه مرسوم شود، توان بالقوه‌ای دارد.

حافظه FeTRAM مشابه با حافظه با دسترسی تصادفی فروالكتریك مدرن (FeRAM) است. حافظه FeRAM‌ بصورت تجاری استفاده می‌شود، اما قسمت نسبتا كوچكی از كل بازار نیمه‌رسانا را به خود اختصاص داده است. هر دوی این حافظه‌ها برای ذخیره اطلاعات به شكل غیرفرار از مواد فروالكتریك استفاده می‌كنند، اما فناوری جدید برخلاف FeRAM، امكان بازخواندن غیرمخرب را ممكن می‌سازد و این بدین معنی است كه اطلاعات را می‌توان بدون از دست رفتن خواند.

این بازخواندن غیرمخرب بوسیله ذخیره اطلاعات با استفاده از یك ترانزیستور فروالكتریك در عوض یك خازن كه در حافظه FeRAM استفاده می‌شود، امكان‌پذیر است.

این محققان جزئیات نتایج كار تحقیقاتی خود را در مجله‌ی Nano Letters منتشر كرده‌اند.

   


نظرات()   

نانوتکنولوژی